測(cè)試探針P50-J

晶元測(cè)試中高溫對(duì)測(cè)試探針機(jī)械性能的影響

       隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的不斷發(fā)展，高溫晶元測(cè)試已經(jīng)逐漸成為主流，并且測(cè)試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設(shè)施的性能外，如何通過(guò)持續(xù)改進(jìn)工藝制程和參數(shù)來(lái)更好的保證高溫晶元測(cè)試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要　　在晶元測(cè)試過(guò)程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測(cè)試機(jī)到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級(jí)，按照晶元層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同，通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過(guò)淺會(huì)造成接觸不良導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定，過(guò)深則會(huì)有潛在的破壞底層電路的風(fēng)險(xiǎn)。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測(cè)試相比，由于整套測(cè)試硬件在高溫環(huán)境下會(huì)發(fā)生熱膨脹，且在測(cè)試過(guò)程中會(huì)表現(xiàn)出與熱源距離相關(guān)的持續(xù)波動(dòng)性，要保證高溫測(cè)試的穩(wěn)定安全，需要一套特殊的工藝